雪崩光电二极管（APD）是一种高灵敏度的半导体电子设备，利用光电效应（图1）将光转换为电。可以将APD视为通过雪崩倍增提供内部第0一级增益的光电探测器。通过施加高的反向偏置电压，APD由于碰撞电离而出现出内部电流增益效应（雪崩效应）。通常，反向电压越高，增益越高。对于APD，反向电压始终低于击穿电压，并且APD的灵敏度不足以检测单个光子。二极管的击穿电压是使二极管反向导通的（zui）小反向电压。

EMCCD也可采用背照式结构，把高达90%的量0子效率与电荷倍增向结合，提高灵敏度，从而提供高帧速率情况下zui好的低照度响应。温度对片上倍增增益的影响明显。温度越低，由依次电子产生的二次电子越多，则片上倍增增益越高。研究表明把探测器制冷到-30摄氏度或更低时，片上增益可以超过1000倍。EMCCD良好的性能取决于CCD温度的zui佳选择以及温度随环境波动的控制。

暗计数

在SAPD中，雪崩不仅由光子的吸收引起，而且还可以由结中发生的热，带间或捕获过程中产生的载流子随机触发。它们会引起自我触发效应，称为暗计数。

减少暗计数的（zui）简单方法是冷却探测器。这减少了热载流子的产生。因此，像增强型ICCD相机，在低温下，暗计数主要由带间隧穿产生的载流子以及更重要的捕获电荷产生的载流子所控制。过高的偏置电压会增加暗计数的发生，增加了探测效率同时降低了时间抖动。因此，必须谨慎选择偏置电压的工作点。

在门控模式下，通常将这种效应量化为门持续每纳秒的暗计数概率。

例如：暗计数率：1350Hz，门宽20ns，触发频率10MHz；    

门控暗计数：1350/（20x10M）。

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